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公司应邀参加第三届热管理材料与技术高峰论坛


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发布时间:

2022-08-01

论坛概况:第三届热管理材料与科技高峰论坛,于2022年7月29日在东莞喜来登大酒店顺利召开。论坛旨在搭建和提供热管理材料行业“产学研用”的沟通交流平台,对接融合产业链各环节创新性的技术与需求。论坛报告涉及热管理材料领域的科学、技术和工程等多方面问题,今年论坛特别关注了金属基复合材料在热管理领域的发展情况。

论坛会场

 

中科院宁波材料所林正得研究员开幕致辞

精彩报告

 

邓中山,公司CTO

演讲题目:面向5G领域的液态金属前沿技术研究与应用

液态金属是一大类物理化学行为十分独特的前沿新材料,室温或工作温度下呈液态,具有导电性强、热导率高、液态温区宽等典型特性,正在为多个领域的应用提供重要解决方案。本报告主要介绍团队近年来面向5G领域应用的液态金属前沿技术研究及产业化工作,包括液态金属流体冷却技术、导热技术以及相变热控技术的提出、发展与应用,液态金属可重构天线及射频开关技术,液态金属印刷电子技术等。

 

黄竹邻,中兴通讯终端硬件系统设计总工

演讲题目:5G终端热设计对热材料的探索

本演讲从热设计的基础理论谈起,介绍了5G终端热设计的几个研究方向,并以实例的方式阐述目前5G终端热设计的挑战,希望和大家一起商讨5G终端热设计的优秀解决方案。

 

郭怀新,中国电子科技集团公司第五十五研究所高级工程师

演讲题目:GaN功率器件片内热管理应用分析

氮化镓电子器件,尤其是HEMT器件,近几年在大功率、高集成度应用方面都取得了巨大进步。然而,高功率密度的发展受限于其自生热和近结区散热能力引起器件结温升高问题,严重导致器件性能下降,使GaN器件的高功率性能优势远未发挥。因此,器件芯片级热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向。为此,本报告对近年来国内外正在开展GaN功率器件热管技术进行分析,结合本团队的研究进展,系统评估GaN器件片内热管理应用面临的技术挑战。

辛国庆,华中科技大学教授

演讲题目:功率电子器件封装关键材料

基于SiC/GaN宽禁带半导体材料的电力电子器件正在崛起,与硅基功率器件相比,这类电力电子器件具有耐高温、耐高压、可高频工作,集成度更高等特点。现有的基于硅基半导体的传统模块封装材料与技术已经无法满足SiC/GaN功率器件,在模块耐温性、可靠性、封装寄生参数、散热等方面都面临着挑战,因此亟需发展适用于SiC/GaN器件的先进封装材料与技术。本次报告主要介绍功率电子器件的关键封装材料,包括耐高温灌封层,高导热性匀热基板及热界面材料等。

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共有28名热管理材料领域专家及企业研发带头人为此次论坛带来“材料与技术、设计与方案”相关精彩报告。

活动交流

本次论坛由DT新材料倾力打造,得到了南方科技大学李保文院士、西北工业大学顾军渭教授和中科院宁波材料所林正得研究员的悉心指导;也得到了广东墨睿科技有限公司、西北工业大学化学与化工学院、深圳先进电子材料国际创新研究院、宝安区5G产业技术与应用创新联盟和粤港澳大湾区先进电子材料技术创新联盟的大力协助及赞助单位和合作媒体对本次论坛的鼎力支持,前来参加的企事业单位、高校、科研院所更是高达200余家。

公司CTO邓中山教授及副总经理张弟带领公司团队参加此次论坛,且本次论坛由公司特约赞助。